Компания Samsung официально объявила о начале массового производства флэш-памяти eUFS 3.1 объёмом 512 Гб, которая, вероятно, будет использована в ряде новых флагманских смартфонов. Они должны появиться в последнем квартале 2020 года.
Тот же чип уже добавлен в новейшие флагманские устройства южнокорейского гиганта — Galaxy S20, S20 + и S20 Ultra, которые были представлены несколько недель тому назад.
В пресс-релизе Samsung сообщается, что чип eUFS 3.1 ёмкостью 512 Гб — лучший в своём роде по скорости и мощности. Он обеспечивает скорость записи более 1200 Мб, в три раза быстрее своего предшественника eUFS 3.0.
При такой скорости процесс сохранения тяжёлых файлов, например, большого количества изображений с высоким разрешением или видеофайлов с качеством 8K на мобильных устройствах можно сравнить с производительностью ультратонкого ноутбука.
В Samsung добавили, что с новым чипом памяти для передачи 100 гигабайт данных требуется около полутора минут. С предыдущим чипом eUFS 3.0 время передачи того же объёма данных составляет около четырех минут или более.
Новая eUFS 3.1 отражает нашу неизменную позицию в отношении поддержки быстро растущих потребностей мировых производителей смартфонов, — прокомментировал исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу Samsung Чол Чой.
Кроме чипа eUFS 3.1 ёмкостью 512 ГБ Samsung планирует выпустить устройства объёмом 128 Гб и 256 Гб, которые будут использоваться для флагманских устройств других производителей телефонов. Предположительно, они появятся на международном рынке во второй половине 2020 года.
Пока нет официальных сведений о том, какое именно флагманское устройство Samsung первым поступит в продажу с чипом памяти на 512 Гб. Между тем многие предполагают, что это будет Samsung Galaxy Note 20 и, возможно, Samsung Galaxy Fold.
