Ученые разработали новое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, которое позволит создать более быстрые и эффективные компоненты оперативной памяти (RAM), а также сможет работать с троичной системой счисления.
Практически все современные цифровые устройства, обрабатывающие информацию, нуждаются в динамической оперативной памяти для временного хранения данных и промежуточных результатов выполняемых операций. Скорость DRAM важна, поскольку влияет на быстродействие всей системы. Эти чипы состоят из отдельных ячеек памяти, характеристики которых и определяют производительность интегральной микросхемы.
Хотя существующее оборудование достаточно хорошо справляется со своими задачами, но команда исследователей из Токийского технологического института решила создать более эффективное устройство памяти, ячейки которого потребляют меньше энергии и могут работать быстрее нынешних аналогов.
Они разработали новый тип ячеек, состоящих из слоев лития, фосфата лития и никеля. По сути это крошечные тонкопленочные аккумуляторы малой емкости, которые можно быстро переключать между заряженным и разряженным состояниями.
Испытания показали, что в процессе эксплуатации между слоями никеля и фосфата лития образуется тонкий оксидный слой, который обеспечивает переключение устройства при низких уровнях энергии тока, что значительно повышает его энергоэффективность и скорость.
Более того, данный тип ячеек может хранить три состояния напряжения вместо двух, что позволяет также эффективно работать с троичной системой счисления при меньших размерах.
Разработка японских исследователей открывает путь к более быстрым и энергоэффективным вычислительным устройствам будущего.
Ранее мы также сообщали о разработке технологии построения полупроводниковых интегральных микросхем, работающих в тройной логической системе.
текст: Илья Бауэр, фото: Tokyo Institute of Technology, appcube
