Новые спецификации оперативной памяти позволят разработчикам удвоить производительность и снизить энергопотребление оборудования.
В свежем документе Ассоциации полупроводниковой промышленности предусматривается четырехкратное увеличение раза максимальной плотности кристалла – до 64 ГБ (по старому стандарту 16 ГБ). При этом каждый модуль DIMM сможет обрабатывать два 32-разрядных канала памяти вместо одного 64-разрядного, что позволит увеличить длину пакета и повысить эффективность.
Максимальная скорость передачи данных в DDR5 поднимется до 6,4 Гбит/с, вдвое превзойдя показатель DDR4, хотя первые модули будут выходить на рынок с ограничением в 4,8 Гбит/с. Энергопотребление должно быть снижено с 1,2 до 1,1 В, реальный уровень экономии еще предстоит определить на практике.
По словам представителя Intel, DDR5 демонстрирует большой скачок в возможностях памяти, впервые обеспечивая прирост пропускной способности на 50% при появлении новой технологии, отвечающей требованиям искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Первые планки со спецификациями DDR5 должны выйти на рынок в 2021 году.
Однако пока АПП согласовывала новые спецификации, ученые изобрели более эффективный и быстрый тип ячеек оперативной памяти, который сможет работать с троичной системой счисления.
текст: Илья Бауэр, фото: zetec
